Der Chip hat einen input over current comparator (auch mit diesen 90s Latchtime).
Beim Zuschalten des Netzteils werden Kapazitäten auf den Board geladen.
Ist der Inrush Strom für eine Zeit von etwa 2,5ms über dem eingestellten Limit, dann schaltet der Treiber wieder ab.
Das kann auch die Folge eines gealterten Shunt Widerstandes sein (größerer Widerstand => vermeintlich höherer Strom).
Also das zunächst klingt total plausibel, vielen Dank, für die Mitteilung Deiner Gedanken!
Und es würde auch erklären, warum (zu meiner damaligen Verwunderung) der Kondensator vergrößert werden musste, statt verkleinert.
Trotzdem bekam ich Deine klugen Gedanken zuerst nicht so richtig befriedigend mit meiner damaligen Beobachtung unter einen Hut, dass ursprünglich (mit originalem Kondensator) die U
GS nicht auf ausreichende 6V ansteigen konnte. Denn der Ladecontroller beendete die Ansteuerung ja schon vor Erreichen der 6V wieder. Dadurch steuerten die MOSFETs also nicht voll durch und die Spannung auf der Systemrail (hinter dem zweiten MOSFET) erreichte nur 10-15V, statt 19V.
Nach meiner Änderung der C
GS von 0,1uF auf 0,2uF reichte es am Gate dann, um die nötigen 6V überhaupt zu erreichen, womit die MOSFETs satt durchschalten konnten.
Aber Du hast wohl recht. Vielleicht erreichte das Gate die 6V nur deshalb nicht, weil der Ladecontroller wegen vermeintlich zu hohem Inrush die Ladungspumpe zu früh wieder abschaltete. Schade, dass ich in meinem damaligen Posting die Zeiten nicht festgehalten und auch kein Oszillogramm gepostet hatte. So kann ich das jetzt selbst nicht mehr eindeutig bewerten.
Ich entsinne mich zwar noch, dass ich einen gedrifteten Shunt damals durchaus in Erwägung gezogen hatte, den Gedanken aber als unrealistisch gleich wieder verworfen hatte.
Der Controller schaltet ja erst nach 20ms ab (Satz durchgestrichen, siehe weiter unten) und da die MOSFETs gar nicht voll durch schalteten, bewirkten die von sich aus eine Strombegrenzung - in höherem Maße, als normal, weswegen mir eine Überstromabschaltung völlig unrealistisch erschien.
Aber jetzt ich sehe gerade, wo der Hase im Pfeffer liegt! Darum habe ich oben einen Satz durchgestrichen.
In meinem blauen Zitatblock aus Posting 17 steht was von
20ms, auf die ich die ganze Zeit vernagelt war:
If the ACFET/RBFET have been turned on for 20ms, and the voltage across
gate and source is still less than 5.9V, ACFET and RBFET will be turned off.
... doch Deinem Text und insbesondere dem Bild von Dir, aus einer anderen Stelle des Datenblattes, entnimmt man die böse Information, dass der Inrush-Schutz offenbar schon nach
2,5ms zuschlägt!
- Ja verflixt nochmal! Ich war damals offenbar völlig auf 20ms verbissen, die sich aber auf einen völlig anderen Schutzmechanismus beziehen! Dabei hatte ich nicht auf dem Plan, dass an anderer Stelle der Inrush-Schutz schon viel früher zuschlägt und die Ladungspumpe deshalb wieder deaktiviert wurde!
Boah ist das hart! Das muss ich verdauen!
Diesen Hinweis im Datenblatt, auf 2,5ms, kann man echt leicht übersehen! Eindeutig klar formuliert finde ich den unscheinbaren, eingeklammterten Satz auch nicht gerade. Wie heimtückisch ist das denn?
- Harald, ich würde sagen, Du bist der Held, der dieses Rätsel endlich aufgelöst hat!
Ich hatte das Problem damals ja nicht weiter verfolgt, nachdem meine Maßnahme zuverlässig fruchtete, weil die Kiste eh schon übermäßig lange bei mir war und endlich zurück musste. Aber so richtig glücklich war ich mit meiner kruden Pulsdynamik-Theorie selbst nicht. Zumal ich den Effekt in LTspice nicht überzeugend nachvollziehen konnte.
Am liebsten würde ich die Kiste jetzt noch einmal auf den Tisch kriegen, um den Shunt mal durch zu messen. Bzw. den Spannungsabfall darüber.
(Und wieder wäre das ein Fall für meinen Testimedes gewesen ... hätte ich das Gerät doch nur mal zuende entwickelt!)
p.s. Bei dem Faktor 20 sind natürlich auch die Gate Kapazitäten der MOSFETs zu berücksichtigen und dann funktioniert die Rechnung auch wieder. Laut Datenblatt darf der Wert auch größer als 20 sein.
Stimmt beides. Besonders der zweite Satz. Die Vergrößerung hat dann ja auch letztendlich gefruchtet - wenn auch aus anderem Grund, als ich dachte.
Hoffentlich überleben die MOSFETs langfristig die längere Verweildauer im linearen Bereich ... :-/