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26

Sonntag, 12. Januar 2020, 14:23

Einer der im Bild rot markierten Bauteile ist wahrscheinlich Q6.
Laut einem Boardplan vom Laptop sind es ssm6n48fu.
»Harald« hat folgendes Bild angehängt:
  • Q6.jpg

27

Sonntag, 12. Januar 2020, 14:24

Die Widerstände haben beide 4,02 Kiloohm wie im Datenblatt. 46R?
Möglich, leider habe ich kein Ozilloskop, mein Messgerät hat zwar eine Stellung Hz, aber ich nehme ann da bekomme ich nur eine Frequenz heraus ...
Ok, aber Q6 müsste ja trotzdem mindestens drei Anschlüsse haben und in der nähe von den Q1 und Q2 zu finden sein.
An Pin 20 (VCC) liegen 19,45 V an (bei 19,72 V an der Ladebuchse), an Pin 16 (heißt hier REGN) liegen 5,98 V an - das sieht beides ja richtig aus.

28

Sonntag, 12. Januar 2020, 14:32

Die Spannungen am Chip sehen OK aus.
Post #26 ist irrelevant. Der Schaltungsteil unter den MOSFETs gehört wohl zum VGA Anschluss.

29

Sonntag, 12. Januar 2020, 14:34

Ah, ja der linke von den rot markierten könnte Sinn ergeben, der ist durch einen kleinen Zinnpunkt wahrscheinlich mit Q1 und Q2 auf der anderen Seite verbunden.

Laut Schlatplan wäre das Drain, der Widerstand zu Source direkt gegenüber beträgt 15,5 MegaOhm.

30

Sonntag, 12. Januar 2020, 14:45

Ich habe heute das richtige Programm für den Bestückungsplan gefunden. Plan hatte ich schon vor ein paar Tagen gefunden.
Laut dem Plan gibt es auf dem Board diese Schutzbeschaltung mit Q6 nicht.
Somit ist einer der MOSFETs hinüber.
Im Bild sind alle Anschlusspunkte der Gates markiert. Mit dem 4k Widerstand geht es dann direkt zum Steuerchip, ohne weitere Beschaltung.
»Harald« hat folgende Datei angehängt:
  • MOSFET Gate.jpg (31,91 kB - 10 mal heruntergeladen - zuletzt: 13. Januar 2020, 14:49)

31

Sonntag, 12. Januar 2020, 15:07

Wow ok vielen Dank, dann werde ich neue MOSFETs ordern und ie beiden Kandidaten tauschen.

32

Sonntag, 12. Januar 2020, 15:20

Es gibt im Datenblatt von TI verschiedene Schaltungsbeispiele für den Chip.
Am Board wurde wohl zum Teil (hab nicht alles angeschaut) die Schaltung aus Abbildung 22 umgesetzt.
Allerdings hat man die Diode D6001 am Versorgungsstecker nicht bestückt, was den Verpolschutz (Kurzschluss der Versorgung bei Verpolung) aushebelt.
Der Chip konnte es aber trotzdem überleben, da die Diode im VCC Pfad (Abbildung 16) auf dem Board vorhanden ist.
»Harald« hat folgende Datei angehängt:
  • D6001.png (370,82 kB - 5 mal heruntergeladen - zuletzt: 13. Januar 2020, 15:05)

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33

Sonntag, 12. Januar 2020, 15:58

Boff, was für eine Dynamik hier!

Aber Leute, ich hatte doch schon im Posting Nr. 9 geschlussfolgert, dass die Verpolschutzschaltung mit Q6 wohl nicht vorhanden ist.
Schön, dass Harald inzwischen den Schaltplan aufgetrieben hat und er das nun wirklich bestätigen kann: Q6 existiert nicht!

Weiterhin hatte ich in Posting 9 bereits geschlussfolgert, dass der Ladecontroller hinüber ist. Nicht der gesamte Ladecontroller (er zeigt schließlich noch Lebenszeichen), sondern nur sein ACDRV-Pin, also die Ladungspumpe, die die Gates der beiden MOSFETs ansteuert.

Und nein, die Diode im VCC-Pfad des Chips hat es nicht verhindern können, dass der Chip Schaden nahm!
Die Diode hat zwar den Rest des Chips überleben lassen, sie vermochte aber den ACDRV-Pin nicht zu schützen!

Ob - wie Harald in Posting 30 meint - auch ein MOSFET hinüber ist, ist derzeit noch völlig unklar (ich weiß gar nicht, wie er zu dieser Einschätzung kommt?). Aber damit würde ich mich derzeit auch gar nicht beschäftigen, weil zunächst der Ladecontroller getauscht werden muss. Danach sieht man ja, ob auch einer der MOSFETs hinüber ist. Wie schon dargelegt, halte ich das aber für zumindest unwahrscheinlich, wenn auch nicht ganz ausgeschlossen.

Noch einmal meine Hypothesen aus Posting Nr. 9:
Durch die Verpolung hat es im Chip einen Durchbruch am ACDRV-Pin gegeben. Dadurch gelang hinreichend positives Potential an die Gates, so dass die MOSFETs kurz durchschalteten.
Aus Sicht des Netzteils lag es selbst somit in Reihe mit dem Akku.
Der dadurch einsetzende Überstrom hat das Netzteil in die Abschaltung geführt. Darum floss nur kurzzeitig hoher Strom durch die ohnehin sehr soliden MOSFETs. Darum gehe ich davon aus, dass die MOSFETs gute Chancen hatten, das zu überleben. Die Gates verkraften überdies 20V, was das Netzteil wohl nicht hergegeben hat - also auch in dieser Beziehung gute Überlebenschancen für die MOSFETs.

Wer aber wirklich malträtiert wurde, das ist der ACDRV-Pin des Ladecontrollers! Denn durch den hindurch hat sich die verpolte Spannung brachial ihren Weg zu den Gates gebahnt.
Die Ladungspumpe ist also mit sehr großer Wahrscheinlichkeit hinüber. Und genau das ist der wahrscheinlichste Grund, warum da jetzt keine Gate-Treiberspannung mehr messbar ist.

All das ließ sich schon ohne Schaltplan (der mir nicht vorliegt) schlussfolgern.

Meine Einschätzung ist daher unverändert: Ladecontroller tauschen, dann weiter sehen!
Wenn es tatsächlich noch einen MOSFET gekillt haben sollte, dann kann man sich um den im Anschluss kümmern, aber zuerst den Ladecontroller tauschen.
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34

Sonntag, 12. Januar 2020, 19:54

Ja, hatte grad zufällig rein geschaut, als OsaGoliath grad online seine Ergebnisse schrieb.

Zitat

Ob - wie Harald in Posting 30 meint - auch ein MOSFET hinüber ist, ist derzeit noch völlig unklar (ich weiß gar nicht, wie er zu dieser Einschätzung kommt?).
Die Messung zeigte 46R zwischen Gate und Source.
Am Gate sind zwei Kerkos und ein Widerstand mit 4k angeschlossen.
Daraus folgere ich, dass die 46R innerhalb des MOSFSETs sein müssen (es gibt kein niederohmigeres Bauteil an den Gates).

Zitat

sie vermochte aber den ACDRV-Pin nicht zu schützen!

Zitat

Denn durch den hindurch hat sich die verpolte Spannung brachial ihren Weg zu den Gates gebahnt.

Der 4k Serienwiderstand schützt den ACDRV Pin. Bei 20V ist der Strom auf 5mA begrenzt (ist nicht gerade brachial). Vermutlich wirkt zudem auch noch der 4k Widerstand in der Source Leitung.

Den Schaltplan habe ich nicht vorliegen. Ist nur ein Bestückungsplan, in dem auch alle Netze und ein paar Bauteildaten enthalten sind.
Die 7 Ferrite sind 3A Typen. Das ist alles darauf ausgelegt, eine Verpolung kurzzuschließen. Man hätte die Diode aber auch vor die Ferrite packen können...

Zitat

sehr soliden MOSFETs
Das Gate der MOSFETs ist ungeschützt und die max. GS Spannung beträgt 20V.
Das wird die MOSFETs gekillt haben.
Bei Verpolung liegt GND vom Treiber Chip an +20V und somit auch das Gate.
Über die Bodydiode des ersten MOSFETs liegt dann der Minuspol an der Source.

Einfach mal die MOSFETs auslöten und G-S Widerstand messen. Sollte beim konventionellen Multimeter unendlich sein.
Die MOSFETs zu tauschen oder erstmal auszulöten ist auch die einfachere Lötaufgabe.

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35

Sonntag, 12. Januar 2020, 22:56

Die Messung zeigte 46R zwischen Gate und Source.
Am Gate sind zwei Kerkos und ein Widerstand mit 4k angeschlossen.
Daraus folgere ich, dass die 46R innerhalb des MOSFSETs sein müssen (es gibt kein niederohmigeres Bauteil an den Gates).
Ach so, stimmt, Du hattest ein Bild vom BoardView verlinkt.
Bei dieser Bestückung überzeugt Deine Überlegung natürlich. Obwohl ich 46 Ohm schon merkwürdig finde, für einen Gate-Durchbruch.

Es stellt sich aber die Frage, wie vertrauenswürdig dieses sonderbare Messergebis von 46 Ohm ist?
Wenn ich mein eigenes Multimeter im Ohm-Messbereich ans Oszi klemme, dann zeigt sich, dass die gepulste Prüfspannung des Multimeters 0,7V überschreitet. Folglich darf man bei einer Widerstandsmessung die in der Schaltung an den Prüfpunkt angrenzenden Diodenstrecken nicht einfach komplett ignorieren. Und dann sind da noch diese zwei Kapazitäten bestückt, die die Prüfpulse des Multimeters fröhlich zu integrieren trachten. Also ich melde Zweifel an, ob diese gemessenen 46 Ohm verlässlich sind.

Ich verwende für den Test an MOSFETs den Durchgangsprüfer. So lautete ja auch meine Empfehlung. Da legt mein Multimeter konstante 0,4V an die Messleitungen. Nix mit so 'nem Gepulse, wie beim Widerstandstest. Und bei Dioden, auch bei Schottky, piept mein Durchgangsprüfer nicht.

Habe es gerade mit zwei verschiedenen, nackt da liegenden Schottky-Dioden ausprobiert:
- Durchgangsprüfer: Kein Durchgang, egel in welcher Polarität.
- Ohm-Messung: Irgend ein schwebendes Messergebnis im Bereich von Megaohm.
Es wird sehr von den jeweiligen Dioden abhängen, was man da misst. Und den Einfluss, von den Dioden parallel geschalteten Kapazitäten habe ich nicht ausprobiert.
Es kann überdies leicht passieren, dass man das "M" auf dem Display des Multimeters nicht als abgekürztes "Mega" erkennt, sondern irrtümlich für Ohm hält, wenn man nicht ganz scharf hin guckt.

Es kann zwar sein, dass diese 46 Ohm stimmen, aber hier ist eindeutig Vorsicht angesagt, zumal ich den Wert sonderbar finde.


Der 4k Serienwiderstand schützt den ACDRV Pin. Bei 20V ist der Strom auf 5mA begrenzt (ist nicht gerade brachial).
Davon wäre ich nicht überzeugt.
Natürlich wurde durch den Widerstand der Stromfluss durch den Chip begrenzt, aber bedenke, dass die Ladungspumpe nicht mit externen Kapazitäten gesunder Spannungsfestigkeit arbeitet, sondern notgedrungen mit integrierten Chip-Kapazitäten, die eine schwebende Spannung von nur etwa 6V erzeugen, zwischen den Pins ACDRV und CMSRC. Die Chip-Kapazitäten werden sicherlich eine sehr begrenzte Spannungsfestigkeit haben.
Wir kennen die Innenbeschaltung des Chips zwar nicht, aber bei Verpolung ist es sehr gut möglich, dass deren Spannungsfestigkeit überschritten wurde.



Das Gate der MOSFETs ist ungeschützt und die max. GS Spannung beträgt 20V.
Das wird die MOSFETs gekillt haben.
Bei Verpolung liegt GND vom Treiber Chip an +20V und somit auch das Gate.
Über die Bodydiode des ersten MOSFETs liegt dann der Minuspol an der Source.
Das Netzteil wird die 20V aber (knapp) unterschritten haben.
Da müsste man jetzt schon Gebratzel an der Buchse plus Induktivitäten für die Erklärung bemühen, für eine Überspannung an den Gates.
Wobei die Kapazitäten an den Gates da noch ein beschwichtigendes Wörtchen mitzureden hätten.


Einfach mal die MOSFETs auslöten und G-S Widerstand messen. Sollte beim konventionellen Multimeter unendlich sein.
Die MOSFETs zu tauschen oder erstmal auszulöten ist auch die einfachere Lötaufgabe.
Bessere Idee, weil die Löterei für OsaGoliath ja doch eine ziemliche Herausforderung darstellt:
Einfach den MOSFETs mal eine Gatespannung aufzwingen.
Eine möglichst nicht mehr ganz volle 9V-Batterie, die so bei 7V herum kraucht, täte den Job.
Netzteil anschließen, Minuspol der Batterie an Source, Pluspol ans Gate. Ich würde sicherheitshalber noch einen Widerstand mit in die Plusleitung der Batterie nehmen, um den Kapazitäten die schlagartige Aufladung zu ersparen. 220 Ohm, oder so.

Der Ladecontroller ist ja per Widerständen von den MOSFETs entkoppelt, der würde bei diesem Test also nicht gegrillt werden, sofern er - wider Erwarten - noch einwandfrei intakt sein sollte.

Wenn die MOSFETs bei dieser aufgezwungenen Gatespannung durchschalten, dann betrachten wir sie als OK.
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36

Montag, 13. Januar 2020, 12:29

Die Widerstände hatte ich mit der Durchgansmessfunktion des Messgerätes ermittelt, dabei zeigt es zusätzlich zum Piepton noch einen Widerstandswert an. Aufgrund der Qualität des Messgerätes würde ich Zweifel trotzdem nicht ausschließen.
Das mit den MOSFETs testen ohne Löten finde ich Klasse. Leider sind die 9V die ich hier habe alle völlig leer (<1V) und nur Müll. Ich habe aber einen kleine Spannungswandlerplatine aus dem Modellbaubereich, die nutze ich in vielen Modell um aus 12 V die nötigen 6 V zu wandeln für einige Geräte. Das Teil macht aus einer höheren Eingansspannung eine Einstellbare Ausgangsspannung. Das Teil könnte entweder von der Ladebuchse mit den 19,7 V betrieben oder mit einem externen 12V Trafo. Dann auf 7 V (?) stellen und Plus ans Gate. Masse an Source des ersten MOSFET und schaun ob die Eingangsspannung dann auch hinter dem MOSFET ankommt?
Will nur sicher gehen dass ich das Experiment richtig verstanden habe.

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37

Montag, 13. Januar 2020, 19:08

ch habe aber einen kleine Spannungswandlerplatine aus dem Modellbaubereich, die nutze ich in vielen Modell um aus 12 V die nötigen 6 V zu wandeln für einige Geräte. Das Teil macht aus einer höheren Eingansspannung eine Einstellbare Ausgangsspannung. Das Teil könnte entweder von der Ladebuchse mit den 19,7 V betrieben oder mit einem externen 12V Trafo.
Betreibe die Platine an einem externen Trafo, sonst wird das nix.

Diese kleinen Spannungswandler-Platinen trennen nämlich nicht galvanisch, sondern sie arbeiten als Abwärtswandler, nach dem gleichen Prinzip, wie die Schaltwandler im Notebook. Die Masse der Ausgangsspannung ist da mit der Masse der Eingangsspannung verbunden. Das nützt Dir nichts, wenn Du sie am gleichen Netzteil betreibst, wie das Notebook-Mainboard.

Was Du nämlich brauchst, ist eine Spannung, die um rund 6V höher ist, als die 19V-Spannung, die Du dem Mainboard zuführst. Also etwa 25V.

Das kannst Du Dir so merken:
Im Normalfall, wenn alles OK wäre, dann wären beide Eingangs-MOSFETs durchgeschaltet. Da würdest Du also vor, zwischen und nach den MOSFETs überall die am Eingang zugeführten 19V messen können. Du hast N-Kanal MOSFETs bestückt, die brauchen zum Durchschalten eine gegenüber Source um ca. 6V höhere Spannung am Gate.
Da ja bei durchgeschalteten MOSFETs an den Source-Anschlüssen (auch an den Drains) überall 19V vorhanden sind, muss die Spannung am Gate ergo ca. 25V betragen (bezogen auf Masse).

Wenn Du nun Deine Abwärtswandler-Platine an den selben 19V betreiben würdest, wie das Mainboard, dann wäre es unmöglich irgendwie auf 25V gegen Masse zu kommen.
Das ginge nur dann, wenn der Wandler galvanisch trennen würde (also ohne Massebezug). Denn dann könntest Du beide Spannungen in Reihe schalten (die 19V und die 6V).
Das geht aber halt nur bei galvanisch getrennten Spannungen.

Letzteres lässt sich erreichen, indem Du die kleine Wandlerplatine per externem Trafo betreibst.
Dabei entsteht eine 6V Ausgangsspannung, die keinen Bezug zur Masse des 19V Notebook-Netzteils hat. Da ist es also möglich, beide Spannungsquellen in Reihe zu schalten.


Oben haben wir den Zustand mit durchgeschalteten MOSFETs betrachtet, weil es so IMHO leichter im Hirn hängen bleibt, was da überhaupt los ist.
Nun machen wir es richtig:
Weil ein N-Kanal MOSFET am Gate mit 6V positiv angesteuert werden will, gegenüber Source, klemmen wir die Ausgangsspannung der kleinen Wandlerplatine mit dem Minus-Anschluss an Source der MOSFETs.
Der Plus-Anschluss kommt dann an die Gates.
- Wobei ich auch hier (genau wie bei der zuerst empfohlenen Batterie) einen Reihenwiderstand dazwischen schalten würde. Also zwischen den Plus-Anschluss und Gate.
Der Widerstand erspart den Kapazitäten auf dem Mainboard das stressige stoßartige Aufladen. Weiterhin ist es ein gewisser Schutz, falls man beim Herumhantieren einen doofen Kurzschluss verursacht, oder so.

Der Widerstand darf nicht gar zu hochohmig sein, denn da sind ja auf dem MB noch die zwei Widerstände bestückt, die zum ACDRV und CMSRC des Ladecontrollers führen. Gegen die (bzw. gegen den durch sie bedingten Stromabfluss) müssen wir anstinken und das Spiel dominieren. Das gelingt, indem wir unseren Schutzwiderstand bedeutend niederohmiger machen, gegenüber den auf dem MB bestückten Widerständen.
Ohne Rechnerei: 220 Ohm aus der Bauteilkiste werden den Job tun. Abweichungen nach oben und unten sind akzeptabel. Man muss halt nur verstehen: Je niederohmiger der gewählte Widerstand ist, umso geringer ist seine Schutzwirkung. Und je hochohmiger er ist, umso mehr büßt er an Dominanz ein, gegenüber den Widerständen an ACDRV und CMSRC.
220 Ohm sind da einfach nur ein gesunder Kompromiss.


Wir machen mit unserer aufgezwungenen Spannung eigentlich genau das, was auch der Ladecontroller tut.
Dieser legt per ACDRV, über einen Reihenwiderstand, eine Spannung von ca. 6V an die Gates gegenüber den Source-Anschlüssen, die ja über einen Widerstand (den wir uns hier schenken) mit CMSRC verbunden sind.
Der Ladecontroller erzeugt diese 6V per Ladungspumpe, ohne Massebezug, also galvanisch getrennt.
Wegen dieser galvanischen Trennung ist der zu Source führende CMSRC-Pin überhaupt notwendig.

Genau das tun wir also auch:
Wir nehmen eine galvanisch getrennte 6V Spannungsquelle und schließen sie an Source und Gate.
Am Gate wären anschließend 25V gegenüber Masse messbar.


Versuche bitte, dieses Posting wirklich vollumfanglich zu verstehen; ich habe mir auch alle Mühe gegeben, es glasklar zu vermitteln, was da passiert.
Dieses Wissen ist sehr nützlich für die Fehlersuche an solchen Eingangsschaltungen.
Wenn man das Prinzip wirklich verstanden hat, dann kann man auf seinem Instrument frei spielen! Und dann kommt man von selbst auf solche Dinge und kann im Bedarfsfall Kunstgriffe wie diesen hier tun, ohne Schaden zu verursachen.


Und zu Deinem Durchgangsprüfer:
Also meiner würde bei 46 Ohm noch nicht piepen, aber da ist jedes Messgeräte-Modell anders.
Wenn Deines tatsächlich gepiept und 46 Ohm angezeigt hat, dann hast Du zumindest keinen Ablesefehler; also nicht Megaohm mit Ohm verwecheslt, oder so was.
Das stärkt das Vertrauen in dieses Ergebnis schon mal etwas.
Trotzdem ist bei solchen Messungen immer eine gesunde Portion Misstrauen angesagt. Wir wissen nicht, mit welcher Prüfspannung Dein Durchgangsprüfer arbeitet.
Normalerweise sollte die Prüfspannung so gering sein, dass sie keine Halbleiter-Sperrschichten überwindet. Wir wissen aber halt nicht, wie Dein Gerät das handhabt.

Aber ich muss schon sagen, dass ich es für unwahrscheinlich halte, dass Dein Messgerät hier völligen Mist baut; daher freunde ich mich allmählich mit einem Gate-Durchbruch bei einem der MOSFETs an, obwohl ich den Wert nach wie vor ungewöhnlich finde (aber das muss ja nichts heißen).
Der Test mit Deiner kleinen Spannungswandler-Platine wird völlige Klarheit schaffen!
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38

Mittwoch, 15. Januar 2020, 20:21

Bin leider erst heute dazu gekommen das aufzubauen, so viele Finger hat ja kein Mensch. Habe es aber hinbekommen.
Sobald man die 6 V ans Gate des ersten MOSFETs legt steigt die Spannung zwischen den MOSFETs von 0,805 V etwa innerhalb einer Sekunde auf 19,71 V bei 19,72 V Eingangspannung.
Daraufhin habe ich die fraglichen 46 Ohm Messungen wiederholt, jedoch mit gleichem Ergebnis. Also scheinen die Eingangsmosfets heil zu sein, aber sie bekommen diese 6 V nicht.
Also besorge ich mir so einen Ladekontroller und tausche den?
Vielen Dank übrigens für deine ausführlichen Erklärungen, ich muss zugeben, im Studium war Elektrotechnik nicht so meins - das war alles so theoretisch. Aber hier habe ich das Gefühl wirklich was dazu zu lernen. Auf jeden Fall ciel besser als nur miss mal die oder das, hier weiß man, was man macht und warum :189:

39

Mittwoch, 15. Januar 2020, 20:28

Messe auch die Spannung nach dem 2. MOSFET (zum Shunt quasi). Der 2. muss auch durchschalten auf 19,7V.
Aufgrund der Bodydiode wird er von Haus aus schon mal 19V liefern. Das reicht aber nicht.

40

Mittwoch, 15. Januar 2020, 20:31

Falls möglich, könntest du auch den Strom der aus 6V Quelle messen. Bei 46R sollten das ca. 130mA sein oder die 46R sind falsch.
Ggf. wird ein MOSFET auch leicht warm. Sollte man mit dem Finger spüren, wenn man den drauf hält.

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41

Mittwoch, 15. Januar 2020, 20:56

(Edit: Überschneidung mit Haralds Postings, meines bezieht sich auf OsaGoliaths letztes Posting)

Ja, das entspricht meiner Erwartung:
MOSFETs heil, Ladecontroller hinüber.

Die 46 Ohm sind natürlich nach wie vor rätselhaft.
Sicherheitshalber solltest Du auch noch hinter dem zweiten MOSFET messen; da müssen ebenfalls 19,7V anliegen, wenn die Gates angesteuert werden.

Nächste Baustelle also: Ladecontroller tauschen!


Du wolltest Dir ja ein Heißluftgerät zulegen. Übe damit erst einmal ausgiebig auf einem Schrott-Mainboard.
Hier eine Menge Tipps für die Löterei:
https://www.edv-dompteur.de/forum/index.…ad&threadID=299

Ohne Unterwärme zu arbeiten ist eigentlich ziemlicher Mist.
Es empfiehlt sich sehr, irgendwas zu improvisieren, so dass Du die Hitze nicht nur rein von oben zuführst.
Zur Not eine Kachel im Backofen auf rund 200 Grad erhitzen und unter die Platine legen. Und sofort von oben Wärme zuführen.
- Diese Maßnahme ist natürlich sehr suboptimal, aber alles ist besser, als der völlige Verzicht auf Unterwärme!

Die Pads der Ladecontroller sind manchmal nur schwer mit Lot benetzbar.
Da hilft eine Vorbehandlung des Chips: Ein Stück Entlötlitze mit Lot zu tränken, den Kolben druff halten und den gefluxten Chip mit der Pinzette über die Litze zu streichen.
Wenn ein mittiges Thermalpad vorhanden ist, dann darf da aber keinesfalls mehr Lot drauf verbleiben, als auf den Pads! Im Zweifelsfall lieber eine Spur weniger, sonst schwimmt der Chip später auf dem mittigen Lot-Tropfen und die übrigen Pads schweben quasi in der Luft - das soll nicht sein.

Muttu einfach mal auf einem Schrott-Mainboard üben.
Mir passiert es selbst dauernd, dass ich im Anschluss noch mit dem Lötkolben und Entlötlitze an den umliegenden Pads nacharbeiten muss. Das gelingt aber sowieso nur dann, wenn zuvor nicht so viel Lot auf dem mittigen Thermalpad aufgetragen wurde, dass der Chip darauf schwimmt.

Und zum Üben wirklich ein altes Mainboard nehmen, nicht bloß eine einseitige, oder doppelseitige Platine!
Die Multilayer eines Mainboards leiten sehr viel mehr Wärme ab, als ein- bis zweiseitige Platinen; das macht die Löterei viel schwieriger, wenn keine Unterwärme zugeführt wird.
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42

Mittwoch, 15. Januar 2020, 22:23

Richtig, die 46R sind nach wie vor ungeklärt (auch wenn es ein komischer Wert ist).
Am Gate gibt es auch keine Diodenstrecke (wie in #35 angedeutet), die vom Messgerät irrtümlich als Widerstand gemessen werden könnte.
Mein RCL Messgerät zeigt bei Durchgangsmessung auch nicht immer einen sinnvollen Ohmwert an. Wenn ich es genau wissen will, dann schalte ich auf Widerstandsmessung um.
Was zeigt, dass Messgerät, wenn man die Strippen direkt verbindet?

43

Donnerstag, 16. Januar 2020, 17:51

Habe mir helfende Hände besorgt für die andren Messungen, also mit den 6V am Gate gehen die 19,7 V bis hinter den Shunt an allen stellen, also schalten beide durch.
Wenn ich im Durchgangsmessverfahren die Spitzen zusammenhalte zeigt es nach etwa einer halben Sekunde 0,4 Ohm an.

44

Donnerstag, 16. Januar 2020, 23:39

Sieht nach wie vor so aus, dass die 46R richtig sind (vorausgesetzt, du hast an den richtigen Pins gemessen).

Wurde einer der MOSFETs etwas warm oder konntet Ihr auch den Gatestrom messen?

Alternativ hier noch zwei weitere Testmöglichkeiten, um den Fehler auf Treiberchip oder MOSFETs festzunageln:
- Die 6V Testweise mit Minus an CMSRC des Chips (oder am 4k Widerstand) anschließen und die Plusleitung wie beim bisherigen Test an die Gates.
Die MOSFETs müssen auch bei diesem Test durchschalten. => MOSFETs OK

- Eine LED mit Serienwiderstand 1k oder auch etwas größer zwischen die Pins CMSRC und ACDRV anschließen.
Die LED müsste beim Einschalten kurzzeitig aufblitzen. => Treiber Chip ist dann wohl OK



Einer der beiden Tests muss negativ laufen.
Mehr gibt's zum Thema nicht mehr zu sagen. Testen und/oder Löten steht jetzt an...

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45

Freitag, 17. Januar 2020, 11:42

Von diesen beiden Tests halte ich gar nichts.
Und von den Schlussfolgerungen auch nicht, weil da zu viele Unbekannte im Spiel sind.

Nach wie vor ist ungeklärt, wie diese 46 Ohm zustande kommen.
Wir wissen nicht, ob der CMSRC-Pin noch intakt ist; ob er gegenüber Masse hochohmig ist; ob er intern einen Masseschluss hat; oder womöglich eine halbwegs beliebige Spannung von bis zu 19V führt.
Fast gleiches gilt für den ACDRV-Pin.
Man müsste alle theoretisch möglichen Kombinationen durchdenken, um verlässlische Schlussfolgerungen anstellen zu können. Das wird aber zusätzlich erheblich erschwert, durch diese rätselhaften 46 Ohm.

Die MOSFETs werden bei Test 1 nur dann durchschalten können, wenn CMSRC keinen Masseschluss erlitten hat.
Wenn sie aber durchschalten, dann sind wir kein Stück schlauer. Denn dass sie durchschalten, wenn sie korrkt angesteuert werden, wissen wir bereits.

Damit ein N-Kanal MOSFET durchschaltet, braucht er eine positive Spannung am Gate, gegenüber Source. Darum hatte ich vorgeschlagen, die Hilfsspannung genau dort anzuschließen; am Source. Denn nur dort macht es Sinn. Und dort sind wir auch (über die beiden Widerstände) vom sonstwie defekten Chip entkoppelt.
Wir haben also mit meinem vorgeschlagenen Test die MOSFETs überprüft, unter Vermeidung möglicher Störeinflüsse des (beliebig defekten) Chips.
Das Resultat war eindeutig: Die MOSFETs funktionierten!

Und wären die rätselhaften 46 Ohm Gate-intern (also durch einen sonderbaren Durchbruch im Gate bedingt), dann hätten wir für die zugeführte Hilfsspannung ja effekttiv einen Spannungsteiler gebildet, aus den von mir empfohlenen 220 Ohm, in Reihe mit diesen rätselhaften 46 Ohm.
Dabei hätte das Gate dann aber nur noch rund 1V erhalten was definitiv keine ausreichende Spannung wäre, um auch nur kränklich durchschalten zu können. Sie schalteten aber voll durch.
Wir haben also allen Grund zur Annahme, dass beide MOSFETs intakt sind.

Ich kann also keinen Sinn darin sehen, die Hilfsspannung am möglicherweise defekten CMSRC-Pin anzuschließen, statt dort, wo es Sinn macht: am Source.


Und zu dem Test mit der LED:
Wie kommst Du darauf, dass die beim Einschalten kurz aufblitzen müsste?
Wenn der Chip noch OK wäre, dann würde ich von der Ladungspumpe erwarten, dass sie permanent arbeitet. Und das übrigens ziemlich hochohmig (Low-Current-LED sinnvoll).
Bei permanent arbeitender Ladungspumpe müsste die LED dauerhaft glimmen, nicht bloß kurz aufblitzen.

Wenn der Chip aber nicht OK ist (wovon ich ja sehr überzeugt bin), dann könnte die LED eventuell trotzdem leuchten, nämlich dann, wenn CMSRC einen Masseschluss hat und ACDRV eine wie auch immer kränkelnde Spannung führt.
So eine kränkelnde Spannung könnte entweder Chip-intern bedingt sein, oder durch diese nach wie vor rätselhaften, womöglich extern bedingten 46 Ohm.

Also mit beiden Tests, wie auch den Schlussfolgerungen, kann ich mich überhaupt nicht anfreunden, denn da sind gar zu viele Unklarheiten im Spiel, die in beliebiger Kombination daher kommen könnten.


Also wenn Du unbedingt noch Testbedarf siehst, Harald, dann würde ich eher folgende Tests vorschlagen:
1) Zuerst die Werte der beiden Widerstände an ACDRV und CMSRC überprüfen. Haben die wirklich 4k? (Edit: das wurde bereits überprüft und bestätigt.)
2) Wenn ja, dann die Spannung unten an den Widerständen messen (also Messspitzen indirekt auf ACDRV und CMSRC) und dann Einschalttaster betätigen.
Wenn der Chip (entgegen meiner Erwartung) noch OK sein sollte, und weil er ja durch die 4k Widerstände hinreichend entkoppelt ist, dann müsste an der Ladungspumpe ja eine eine Spannungsdifferenz von 6V messbar sein. Eventuell auch etwas weniger, wegen der Hochohmigkeit der Ladungspumpe und dem Stromabfluss über die Widersände (wir wissen ja nicht, wo diese dammichten 46 Ohm liegen).

Meine Prognose: Es ist keine hinreichende Spannungsdifferenz an der Ladungspumpe messbar. Ergo: Chip austauschen!
Sollte ich falsch liegen (ich wette dagegen), dann würde ich sehr dumm gucken und wir wüssten kein Stück, was los ist. Bzw. dann müssten wir die Ursache für diese ominösen 46 Ohm ausfindig machen.
Im Grunde vermute ich schon lange, dass die 46 Ohm ihre Ursache in dem IMHO defekten Chip haben - was aber eigentlich nur dann sein kann, wenn zudem die beiden Widerstände an ACDRV und CMSRC niederohmiger sind, als sie laut Plan sein sollten. - Schon komisch!
Vielleicht wird OsaGoliaths Messgerät aber auch einfach durch die Präsenz der Kapazitäten an den Gates so irritiert, dass es wertlosen Müll anzeigt. Für wahrscheinlich halte ich das zwar eigentlich nicht, aber es gibt bis jetzt eh keine wirklich überzeugende Theorie, was diese 46 Ohm verursacht. Ein Messfehler (technisch, oder vom Bediener verursacht) kommt mir zumindest wahrscheinlicher vor, als reale Ursachen.
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ASUS, Sicherung, Stromversorgung, Verpolt