EDV-Dompteur/Forum

Huhu und Willkommen in Forum!

Also, wenn sich der Fehler so von dir beschrieben zugetragen hat liegt es zu 99% am ersten und/oder zweiten FET am Netzeingang.
Aufgrund des Notebooktyps gehe ich davon aus, dass es sich um ein Compal LA-D121p handelt.


Anbei ein Auszug aus der Schematic:
Eine Bitte - die FETs nicht einfach überbrücken - die haben eine Funktion!Der Erste am Eingang ist ein MDU1512 von Magnachip (N-Channel-FET) und der zweite ein AON7506 von Alpha und Omega (ebenfalls ein N-Channel-FET).
Die Teile gibts beim gelben Mann deines Vertrauens, DigiKey, eBay, oder oder oder - im Prinzip tut es jeder N-Channel-FET mit ausreichender Spannngsfestigkeit und identischem internen Aufbau, im passenden Package.
Aus meiner Erfahrung, von bestimmt 10.000 Reparaturen, kann ich dir sagen: liegt an einem und oder beiden FETs...

Der BQ725A generiert über eine Ladungspumpe von LX (Switch Node) nach BTST (Soll so viel wie Boost heißen)
über den PC311 die benötigten ~24V zum durchschalten der Netzeingangsstufe über den Pin 4 ACDRV (AC Driver).

Die Gatespannung der beiden FETs kommt also vom Treiber-IC und muss logischer Weise ca. 5V größer sein als die
Drainspannung des FETs. Ich denke durch das rumprobieren ist jetzt sich noch ein weiteres Bauteil in die Brüche gegangen.

Heiße Kandidaten wären der PQ301 (reverse input Protection). Zwischen Source und Drain sollte hier
in Vorwärtsrichtung nur eine Diode messbar sein. Am PQ302 sollte also in spannunglosen Zustand
ein nahe an unendlich liegender Widerstand zwischen Source und Gate messbar sein.

Vielleicht ist aber durch das überbrücken auch einfach den Charger irgendwie ausversehen über die Klinge
gesprungen - den BQ725A einfach noch wechseln.

Viel mehr fällt mir dann auch nicht ein - wenn er über Akku läuft sollte der EC keinen Schaden genommen haben.

Aus der Ferne, ohne selbst ein paar Messungen vorzunehmen lässt sich das immer schwer sagen.

Ja der AON6426 ist ein Substitut für den MDU1512 - war sicher 0.3 Cent günster als der Magnachip, oder gerade
verfügbar. Der Typ des N-Channel-MOSFET spielt an der Stelle auch keine große Rolle, die 5
Ampere des Netzteils schaltet jeder FET in der Bauform und da keine Schaltfrequenz wie an einem Schaltwandler zu schalten ist, spielt auch die
Gate-Kapazität keine Rolle. Allerdings müssen die beiden FETs der Eingangsstufe trotzdem halbwegs zueinander passen - beliebige Kombinationen
werden möglicher Weise nicht immer wirklich zufriedenstellend arbeiten.

Das Ganze kann man sinngemäß auch in Datenblatt des Chargers nochmal nachlesen.

Viel Glück.

Zitat von »Max1337«

Die Gatespannnung der beiden FET's lag bei meinem Test auch nur bei ca. 0,1 V.

Das darf am ersten FET keinesfalls so sein. Wenn der FET gesperrt ist sollte das Gate auf dem selben Potetial wie das DRAIN liegen sprich ~ 19V.
Hat der Charger denn überhaupt Versorgungsspannung an Pin 20?
Sonst könnte z.B. auch der 10 Ohm Widerstand am RC-Tiefpass bestehnd aus PR306 und PC312 gestorben sein.

Zum verlöten des QFN hat braucht man unbedingt eine Heißluftlötstation

Best Practice ist es dann:

--> ein Stück Platine zum ätzen (vielleicht hast du sowas) oder ein Stück PCB welches eine ausreichend große, blanke Kupferfläche hat dünn! zu verzinnen
--> gut Flussmittel auftragen--> mit der Heißluft die Platine und den Chip zu erwärmen - nicht zu schnell - bis das Zinnbad der Platine sichtbar schmilzt und die Lands des QFNs verzinnt
--> mit der Pinzette den Chip etwas andrücken und dann rückartig von der Platine abnehmen--> in der Regel bekommt man so die richtige Menge Zinn an die Pads zum späteren auflöten auf das PCB
--> danach das Flussmittel von QFN entfernen und mit neuem Flussmittel auf die Platine löten (das übergebliebene Zinn des alten Chips nicht von der Platine entfernen)
--> Mit der Pinzette nicht auf den QFN drücken o.ä. solang das Zinn noch flüssig ist - das macht nur Brücken.
--> zum reinigen machen sich Wattestäbchen und KONTAKT LR (mein Favorit) oder Isopropanol gut
--> danach Inspektion unter dem Stereo-Mikroskop
--> wenn ordentlich gearbeitet wurde sind alle Pads verbunden und es muss nichts nachgearbeitet werden.
--> ggf. Nacharbeit mit dem Lötkoben (meiselförmige Spitze)

Wenn man es tausend mal gemacht hat eine Sache von 3 Minuten.
Anbei zwei Bilder vom Setup und wieviel Zinn an den Pads ungefähr richtig ist.

Ein merkwürdiges Verhalten des Boards - na probiere dich nur mal mit dem neuen Chip.
Selbst wenn es mit der Reparatur nix wird lernt man doch immer hinzu.
Viel Glück

Na es geht doch vorwärts...

Meine Vermutung beim einem short auf dem LX Node des Chargers in eine defekte Halbbrücke bestehen aus den beiden FETs PQ305 / PQ306.
Am LX Node wird ja nur die Spannung zum laden das Akkus generiert. Viel mehr als die Halbbrücke gibts es da ja nicht - bei den MLCCs

habe ich in meiner Karriere noch nie einen Kurzschluss gesehen - das ist also eher unwahrscheinlich.

LA-D121p-001.JPG

Drum hatte ich ihn schon angemarkert...

Einmal wechseln und schauen ob er dann läuft.
Ggf. hat die Halbbrücke bestehend aus PQ305 / PQ306 beim Defekt des Chragers (oder eines der beiden Gates war nicht dem Treiber des Chargers verbunden) einen glatten Durchschuss
bekommen (wenn beide FETs eingeschaltet sind kommen 19 Volt auf Masse mit ein paar Milliohm... Der Klügere gibt nach in der Regel ist es ein FET... )
An einer solchen Halbbrücke dürfen die FETs nur wechselseitig durchgeschaltet sein... sonst entsteht ein Kurzschluss.
Das Ganze passiert recht schnell um die Drossel PL302 möglichst klein halten zu können... Kupfer kostet schließlich Geld.

Laut Datenblatt per SMBus programmierbar im Bereich 615 bis 885 Tausend Mal je Sekunde.
Je höher die Schaltfrequenz so eines Wandlers umso mehr HF Einflüsse spielen hier bei der Ansteuerung des Gates eine Rolle, bei einer Schaltfrequenz von ~1MHz kann die Grenzfrequenz welche übertragen werden
muss schnell mal 100 MHz betragen will man die notwendige Steilheit der Vorder- und Rück- bzw. Hinterflanke erreichen. Das Gate hat allerdings auch eine parasitäre Gatekapazität - also einen winzigen Kondensator -
der dazu umgeladen werden muss, was einen durchaus nicht zu unterschätzenden Stromfluss zur Umladung des ja eigntlich nur spannungsgesteuerten Gates bedingt. Der Leiterzug vom Treiber zum Gate stellt allerdings eine Induktivität dar - eine Induktivität "stemmt" sich gegen jede Art der Änderung des Stromflusses durch sie - generiert also einen induktiven, frequenzabhängigen Widerstand welcher das Umladen des Gates mit zunehmender Frequenz verlangsamt.


Die Umladung des Gates muss schnell gehen um den FET nicht zu lang in einem "halbdurchgeschalteten" Zustand verweilen zu lassen in dem die Verlustleistung am Bauteil relativ hoch ist. Daher die hohe obere Grenzqrequenz -
um ein möglichst sauberes, steilflankiges Rechtecksignal zur Ansteuerung zu generieren.

Die Ganze Kiste ist durchaus komplex aber ein Thema über das ich Seiten schreiben könnte... ;-D

LA-D121p-003.JPG